據了解，AMB基板銅層結合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對SiC上車并改善新能源汽車應用有明顯的提升效果。

不過，AMB工藝也還存在一些短板，其技術實現難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術要求高，且在良率、材料等方面還有待進一步完善，這使得該技術目前的實現成本還比較高，“AMB被認為是SiC的最佳搭配方案，不過目前AMB基板的成本大約是DBC的3倍左右，這是阻礙它發(fā)展的重要因素。”業(yè)內人士進一步指出，“隨著SiC不斷在汽車上取得突破，AMB有望借助新能源汽車的發(fā)展，獲得新的發(fā)展機遇，而且會隨著新能源汽車產銷量的不斷突破而加快滲透。”

AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯，此外在光伏、風電、軌道交通等領域，也對AMB有著巨大需求，市場潛力明顯。