金蒙新材料公司獲悉：我國半導體新技術(shù)再次取得突破性進(jìn)展——由南京大學(xué)與中國電子科技集團公司第三十八研究所合作研制而成的第三代半導體碳化硅紫外雪崩單光子探測器模現已問(wèn)世。

　　其高靈敏度碳化硅紫外雪崩單光子探測器模塊的成功研制，填補了我國國內在高性能固態(tài)紫外探測領(lǐng)域的空白，為我國進(jìn)一步在高端紫外探測市場(chǎng)的發(fā)展奠定了基礎。

　　通過(guò)實(shí)驗證明，尤其是對探測芯片設計與制備、封裝測試到讀出電路的一體化研究，碳化硅單光子紫外探測模塊現已取得了關(guān)鍵技術(shù)上的顯著(zhù)突破。其主要性能指標均已達到世界領(lǐng)先水平。例如：其暗電流低于0.01pA，雪崩增益高于106，室溫下的暗計數率低于1.8Hz/µm2，單光子探測效率高于10%;在150ºC高溫下，探測的暗計數率低于7Hz/µm2，單光子探測效率無(wú)明顯變化，能夠很好工作。

　　因此，其未來(lái)在導彈預警與跟蹤、紫外通信、生物醫療、石油頁(yè)巖氣開(kāi)發(fā)、高速鐵路以及高壓輸電安全領(lǐng)域將具有非常巨大的應用潛力。