金蒙新材料公司從相關(guān)渠道獲悉，天科合達與中科院專家合作研究，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底，并且形成了一條年產(chǎn)7萬片碳化硅晶片的生產(chǎn)線。

  眾所周知，硅和鍺構(gòu)成了第一代半導體材料，直到現(xiàn)在我們使用的半導體產(chǎn)品大多依然是基于硅材料的。隨后，砷化鎵、磷化銦逐漸成為第二代半導體材料被用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，從而被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等領(lǐng)域。

  目前，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料通常又被稱為寬禁帶半導體材料或高溫半導體材料。碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，臨界擊穿場強大，熱導率高，飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應(yīng)用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。