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揭密碳化硅納米材料的發(fā)展

文章出處:原創(chuàng )網(wǎng)責任編輯:胡尊芳作者:黃丹丹人氣:-發(fā)表時(shí)間:2017-07-14 17:44:00

  碳化硅納米材料會(huì )如何發(fā)展?金蒙新材料為您解答;

  碳化硅納米材料具有高的禁帶寬度,高的臨界擊穿電場(chǎng)和熱導率,小的介電常數和較高的電子飽和遷移率,以及抗輻射能力強,機械性能好等特性,成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。碳化硅 納米線(xiàn)表現出的室溫光致發(fā)光性,使其成為制造藍光發(fā)光二極管和激光二極管的理想材料。
  近年來(lái)的研究表明:微米級SiC晶須已被應用于增強陶瓷基、金屬基和聚合物基復合材料,這些復合材料均表現出良好的機械性能,可以想象用強度硬度更高及長(cháng)徑比更大的碳化硅 一維納米材料作為復合材料的增強相,將會(huì )使其性能得到進(jìn)一步增強。碳化硅一維納米材料具有閾值場(chǎng)強低,電流密度大,高溫穩定性好等優(yōu)異特點(diǎn)可望作為電場(chǎng)發(fā)射材料,利用這一特性可制成第三代新型電子光源,并將在圖像顯示技術(shù)方面發(fā)揮巨大作用。隨著(zhù)研究的深入,研究者還發(fā)現一維SiC納米結構在儲氫、光催化和傳感等領(lǐng)域都有廣泛的應用前景。
  我們生產(chǎn)的碳化硅日標國標均可,根據用戶(hù)訂單生產(chǎn),歡迎您的選購!
 
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