在當前科技立異、科技強國的年代，以碳化硅半導體為代表的第三代寬禁帶半導體資料的研討和開(kāi)發(fā)現已得到世界各國的高度重視。

  不久前美國總統奧巴馬兩次拜訪(fǎng)美國碳化硅半導體的領(lǐng)軍企業(yè)——美國科銳公司，并稱(chēng)其將引領(lǐng)美國的制造業(yè)完成清洗動(dòng)力革新。在此之前更是親自建議建立美國碳化硅半導體工業(yè)聯(lián)盟，設立專(zhuān)項資金支撐全工業(yè)鏈疾速打破開(kāi)展。1.4億美元的總支撐額用于提升美國在該新興工業(yè)方面的國際競爭力。同時(shí)，日本政府也將碳化硅半導體技能列入“輔弼計劃”，認為將來(lái)日本50%上的節能將由碳化硅完成。

  同樣在中國，以碳化硅半導體材料為代表的新材料的研討和開(kāi)發(fā)，也已成為科技強國的重要組成部分。但因為中國在第一代、第二代半導體領(lǐng)域的研討和開(kāi)發(fā)嚴峻落后于歐美日等興旺國家和地區，每年都要進(jìn)口2000億美元以上的電子器材，一向未能完成打破和趕超。

  因為碳化硅半導體襯底資料可制造大功率、高熱導率的高頻率微波器材、功率器材和照明器材，具有十分顯著(zhù)的性能優(yōu)勢和無(wú)窮的工業(yè)股動(dòng)效果，歐美日等興旺國家和地區都把開(kāi)展碳化硅半導體技能列入國家戰略，投入巨資支撐開(kāi)展。