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SiC模塊可提升電動(dòng)汽車(chē)功率及續航能力

文章出處:寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng )新聯(lián)盟網(wǎng)責任編輯:作者:寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng )新聯(lián)盟人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-05-21 11:48:00【

碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處,有更高的擊穿場(chǎng)強,也就是耐高壓,即是可以控制更高的系統電壓。高電壓意味著(zhù)低電流,能減少設備電阻的損耗。

對電機設計來(lái)說(shuō),也更容易在小體積下實(shí)現更高功率。

碳化硅可實(shí)現大功率及高續航。除了寬禁帶帶來(lái)的優(yōu)勢外,碳化硅還有兩大優(yōu)勢,一個(gè)是飽和電子速度更高,一個(gè)是導熱率更高、耐溫性能更高。

飽和電子速度快,也就是可以通過(guò)更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速度是硅材料的兩倍,因此在設備設計時(shí),匹配的電流強度更容易遠離設備的飽和電流,也就能實(shí)現在導通狀態(tài)下更低的電阻。

這能減少電能的損耗,也有助于降低設備發(fā)熱,簡(jiǎn)化散熱設計。特別是在瞬時(shí)大電流情況下,設備溫度積累減少,再加上耐溫性增加與材料本身更強的導熱率,也讓設備散熱更容易。車(chē)輛也就能爆發(fā)出更大的功率。

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