2014年5月，豐田官方發(fā)布信息，將在2020年推出一套全新采用碳化硅半導體技術(shù)的混動(dòng)系統。網(wǎng)通社從歐洲媒體GoAuto了解到：新一代普銳斯將率先搭載該套混動(dòng)系統，其油耗將相應降低10%，至3.33L。

目前，EV(純電動(dòng)汽車(chē))和HEV(混合動(dòng)力汽車(chē))的電力驅動(dòng)部分主要由硅(Si)基功率器件組成。隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展，對電力驅動(dòng)的小型化和輕量化提出了更高的要求。然而，由于材料限制，傳統Si基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本身極限，因此，各汽車(chē)廠(chǎng)商都對新一代碳化硅(SiC)功率器件寄予了厚望。

眾所周知，高功率密度、高壓、大電流IGBT功率模塊是逆變器里最核心的部件，它的功率密度越高，電力驅動(dòng)系統的設計則越緊湊，在相同體積下就能發(fā)揮更大功率。由于SiC器件電流密度高(如 Infineon 產(chǎn)品可達 700 A/cm2)，在相同功率等級下，全SiC功率模塊的封裝尺寸顯著(zhù)小于SiIGBT功率模塊，大大減小了功率模塊的體積。

另一方面，由于所有的功率轉換都由IGBT執行，所以器件本身沒(méi)有更多的空間來(lái)散熱，也不能通過(guò)增加風(fēng)扇等其他方式散熱，這就要求IGBT本身有很好的散熱功能。理論上，SiC功率器件可在175℃結溫下工作，因此散熱器的體積可以顯著(zhù)減小。

此外，與傳統硅IGBT相比，SiC器件的導通電阻較小導通損耗下降;特別是SiCSBDs，具有較小的反向恢復電流，開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，大幅提高系統效率。

綜上所述，碳化硅器件在電動(dòng)汽車(chē)中的應用潛力巨大。SiC器件可以顯著(zhù)減小電力系統的體積、重量和成本。提高功率密度和系統效率。使其成為EV和HEV電力驅動(dòng)裝置中的理想器件，也將為電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力驅動(dòng)系統帶來(lái)革命性的改變。