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碳化硅游離碳的測定

文章出處:原創(chuàng )網(wǎng)責任編輯:金蒙新材作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2018-02-20 15:31:00【

 一、 原理 

試樣在750℃±10℃(650℃±10℃)的溫度下,經(jīng)過(guò)灼燒,其表面的游離碳被氧化成二氧化碳損失,失去的重量來(lái)計算游離碳的含量。 二、分析步驟 
1.F400(P800、W28、JIS#700)及以粗的試樣的測定 
    稱(chēng)取試樣1克于已灼燒至恒重的鉑皿中,置于爐溫為750℃±10℃的馬弗爐中,灼燒30分鐘,取出冷卻后,稱(chēng)重,反復灼燒至恒重。 
 2.F400(P800、W28、JIS#700)以細的試樣的測定 
    稱(chēng)取試樣1克于已灼燒至恒重的鉑皿中,置于爐溫為650℃±10℃的馬弗爐中,灼燒25分鐘,取出冷卻后,稱(chēng)重,反復灼燒至恒重。 三、 結果計算 
游離碳的質(zhì)量含量W(CF),數值以%表示,按下列公式計算: 
 
式中: 
m1——試樣加鉑皿灼燒前質(zhì)量的數值,單位為克(g);
m2——試樣加鉑皿灼燒后質(zhì)量的數值,單位為克(g);
m3——試樣質(zhì)量的數值,單位為克(g);
計算結果精確到0.01。
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