碳化硅的長(cháng)晶技術(shù)大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。

其中PVT比較主流，優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單，可靠，成本可控。CVD對設備要求太高，價(jià)格很貴，只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會(huì )用這個(gè)方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時(shí)間積累，日本公司不少專(zhuān)注于這個(gè)路線(xiàn)。

以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長(cháng)速度只有硅材料生長(cháng)速度的1/100都不到，144小時(shí)只有2cm左右的厚度，實(shí)在是太慢了，要想獲得更多的產(chǎn)量，只能靠長(cháng)晶爐數量堆。

目前國外日新技研和PVATepla的長(cháng)晶爐基本要賣(mài)到300萬(wàn)左右一臺。國內很多公司比如露笑，東尼，晶盛機電，這些年經(jīng)過(guò)技術(shù)改良和成本控制后，能做到150-200萬(wàn)一臺甚至更便宜的價(jià)格，這個(gè)價(jià)格基本也能接受。

其次碳化硅非常硬，莫氏硬度高達9.3是高于藍寶石僅次于金剛石的，是最堅硬的一種物質(zhì)，因此切磨拋加工帶來(lái)巨大的困難。

2cm厚度的碳化硅晶錠，現有技術(shù)完全切開(kāi)也需要至少100小時(shí)左右，相當費時(shí)間。鋸切效率高，但是破片率高，線(xiàn)切效果稍好，但是效率很低。

切磨拋設備日本高鳥(niǎo)，永安有不少新設備上線(xiàn)，從業(yè)內反饋效果還行，但是日本公司都有個(gè)通病，不太愿意大規模擴產(chǎn)，因此這些設備誰(shuí)買(mǎi)到誰(shuí)就能先把產(chǎn)能擴出來(lái)。

英飛凌曾經(jīng)花了1.24億歐元收購一家做碳化硅冷切割（coldspitl）技術(shù)的公司Silecrta，以希望用冷切割技術(shù)，高效率低成本得到最多的碳化硅晶片。

有人說(shuō)這是激光切割技術(shù)，作者研究后發(fā)現應該不是激光切割，而是類(lèi)似離子注入法和做SOI硅片的技術(shù)比較接近的剝離技術(shù)。

碳化硅透光率很高，激光切并不合適，而且激光切割設備相當昂貴，當然離子注入法剝離也不簡(jiǎn)單，現階段最現實(shí)的還是線(xiàn)切。

切割良率就真正考驗各家水準了，同樣3cm晶錠厚度，最終得片率是30片還是33片還是35片？每多一片都是利潤！

對于磨拋而言，也有不少技術(shù)難點(diǎn)還未完全攻克，但是要比切略簡(jiǎn)單，無(wú)非是慢一點(diǎn)。由于碳化硅硬度和藍寶石比較接近，因此藍寶石的粗拋設備以及SLurry配方略經(jīng)改良，是可以用的，細拋就要上新設備了，但是這部分設備占整體成本并不不高，大體可控。