1月10日，新加坡科學(xué)、技術(shù)和研究機構 (A*STAR)旗下微電子研究所 (IME)和法國Soitec半導體公司宣布開(kāi)展研究合作，共同開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)和高壓電子設備應用的碳化硅器件。具體而言則是IME采用Soitec專(zhuān)有技術(shù)生產(chǎn)的200毫米直徑碳化硅襯底開(kāi)發(fā)外延及MOSFET，并以此建立基準展示優(yōu)勢。

法國Soitec利用其智能切割技術(shù)（SmartCut），可生產(chǎn)高性能、低能耗和低成本的150mm和200mm直徑碳化硅晶圓襯底。SmartCut技術(shù)是在低質(zhì)量的載體上粘貼高質(zhì)量的單晶碳化硅，形象一些的比喻是把碳化硅襯底變成和三明治一樣的結構。這樣不僅可以提升元件的電氣性能，同時(shí)還可以降低成本，提升產(chǎn)量。簡(jiǎn)單用數字對比，該技術(shù)可以將傳統工藝生產(chǎn)的碳化硅襯底變成10個(gè)。

A*STAR（AgencyforScience,TechnologyandReseach）是新加坡最大的科研機構，旗下IME（InstituteofMicroelectronics）則在集成電路和系統以及研究設計和過(guò)程技術(shù)方面建立了強大的專(zhuān)門(mén)知識和能力。

雙方本次研究合作計劃持續到2024年年中，Soitec首席技術(shù)官兼高級執行副總裁ChristopheMaleville表示：“這是我們與新加坡微電子研究所合作并展示SmartSiC襯底可擴展到200mm的絕佳機會(huì )。作為這一新工藝的主要受益者，新加坡的半導體生態(tài)系統將有機會(huì )驗證通過(guò)我們合作生產(chǎn)的SiC晶圓的卓越能效。”