碳化硅是一種重要的寬禁帶半導體材料，由于其具有高的熱導率、大的飽和電子漂移速率及搞得擊穿場(chǎng)強，從而被廣泛應用于制備高溫、高頻及大功率電子器件。4H碳化硅點(diǎn)群為6mm，理論上存在二階非線(xiàn)性光學(xué)效應。同事碳化硅優(yōu)異的物理性質(zhì)，如寬的帶隙、高的熱導率及強的共價(jià)鍵能等有利于提高其抗激光損傷能力，其損傷閥值可達80GW/cm²，然而，目前國際上還沒(méi)有碳化硅晶體非線(xiàn)性光學(xué)頻率變換的實(shí)驗報道。
  研究所告知中紅外段激光在分子光譜、氣體探測、環(huán)境保護、醫學(xué)、激光通訊、紅外遙感及光電對抗等領(lǐng)域具有重要的應用，非線(xiàn)性光學(xué)頻率變換是目前獲得中紅外激光的有效途徑。常用的中紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體受到低激光損傷閥值的新型中紅外非線(xiàn)性光學(xué)材料是當前中紅外激光研究領(lǐng)域的前沿和特點(diǎn)。
  碳化硅微粉及碳化硅粒度砂是碳化硅特性的主要組成，碳化硅的用途廣泛，現在已經(jīng)很多企業(yè)生產(chǎn)廠(chǎng)家都在使用碳化硅在生產(chǎn)自己的制品，可見(jiàn)碳化硅的發(fā)展步伐是很光明的。