關(guān)于發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)一些理性思考[ 06-04 16:14 ]

目前，國內碳化硅產(chǎn)業(yè)看上去紅紅火火，但硅的霸主地位依舊不可撼動(dòng)，80%集成電路仍在使用硅，而碳化硅的優(yōu)勢主要在于其功率特性。 車(chē)用市場(chǎng)是碳化硅首先引爆的應用市場(chǎng)，2022年以后，SBD會(huì )因為國內廠(chǎng)商的崛起引發(fā)激烈競爭，而車(chē)規MOSFET應用的高壁壘形成了精英賽道，能夠跑到最后的競爭者有限。因此，是否有能力開(kāi)展MOSFET的研發(fā)，是否有能力出貨，就成了判斷碳化硅器件公司成功與否的客觀(guān)標準。 未來(lái)，從產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值分布及客戶(hù)優(yōu)勢等方面看，上游擁有襯底量產(chǎn)技術(shù)、外延能力的企業(yè)，以及擁有功率半導體器件經(jīng)驗、下游客戶(hù)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的“中堅力量”：外延生長(cháng)[ 05-28 15:42 ]

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長(cháng)、器件制造、模塊封測和系統應用等幾個(gè)重要的環(huán)節。碳化硅器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，無(wú)法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導通型單晶襯底上額外生長(cháng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類(lèi)器件。外延生長(cháng)作為承上啟下的重要環(huán)節，是產(chǎn)業(yè)鏈的中堅力量。 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長(cháng)、器件制造、模塊封測和系統應用等幾個(gè)重要的環(huán)節。碳化硅器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，無(wú)法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導通型單晶襯底上額外生長(cháng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各

碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法[ 05-25 15:30 ]

碳化硅單晶生長(cháng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒(méi)法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標準的圓柱體，線(xiàn)切割會(huì )把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。 晶片的表面會(huì )有損傷，損傷源于本來(lái)晶體生長(cháng)的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對于局部損傷，世界上有四種方法：不管、更換、修補、去除；對于碳化硅表面的損傷層，不管不顧肯定不行，因為會(huì )影響器件的成品率；更換晶片，不就是砸自己的飯碗嘛；修補其實(shí)是再次生長(cháng)，現在沒(méi)有低成本的方案；而去除是一條還算可行的，用一定的材料廢棄，來(lái)提高總體材料

碳化硅器件應用于逆變器優(yōu)勢[ 05-20 16:41 ]

碳化硅導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢明顯。就電動(dòng)汽車(chē)逆變器而言，功率器件是核心能量轉換單元，其損耗包含兩部分，導通損耗Econ和開(kāi)關(guān)損耗Esw。 碳化硅在電流比較小也就是輕載的工況下導通損耗優(yōu)勢是比較明顯的，再結合輕載工況開(kāi)關(guān)損耗占比更大（碳化硅開(kāi)關(guān)損耗也低），這也印證了為什么碳化硅更適合城市工況。因此逆變器應用碳化硅MOS體現在效率Map上就是高效區面積比較大。 另外，碳化硅MOS打開(kāi)時(shí)雙向導通，又規避了IGBT模塊在續流時(shí)，FRD的導通壓降比IGBT大的問(wèn)題，進(jìn)一步降低導通損耗。 碳化硅可降低整車(chē)能耗

SiC器件在各行業(yè)中的應用及優(yōu)勢[ 05-16 16:55 ]

1、電源/大型服務(wù)器：用于電源及功率因數校正器內部，減積減重、提高效率、降低損耗。 2、光伏：用于光伏逆變器中，光伏發(fā)電產(chǎn)生的電流為直流電，需要通過(guò)逆變器轉換為交流電以實(shí)現并網(wǎng)。采用SiC功率器件可以減積減重；提高逆變轉化效率2%左右，綜合轉換效率達到98%；降低損耗，提高光伏發(fā)電站經(jīng)濟效益；SiC材料特性，降低故障率。 3、風(fēng)電：用于風(fēng)電整流器、逆變器、變壓器，風(fēng)力發(fā)電產(chǎn)生的交流電易受風(fēng)力影響使得電壓、電流不穩定，先要經(jīng)過(guò)整流為直流電后再逆變成交流電實(shí)現并網(wǎng)，提高效率、降低損耗，同時(shí)成本和質(zhì)量分別減少