目前，第三代半導體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場(chǎng)認可和高度關(guān)注。在功率半導體的范疇，業(yè)內人士認為，除了LED發(fā)光和射頻，第三代半導體材料SiC的技術(shù)難點(diǎn)主要在于襯底缺陷的控制。當前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠(chǎng)商生產(chǎn)，國內想要突破還需要相當長(cháng)的一段時(shí)間。

同時(shí)第三代半導體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動(dòng)大導致良率偏低以及主要材料供應被壟斷，甚至推導到市場(chǎng)價(jià)格一直居高不下，目前只限定在部分應用市場(chǎng)。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點(diǎn)而言，第三代半導體材料SiC的應用已經(jīng)開(kāi)始改變更多行業(yè)。

與SiC不同，GaN相對比較復雜。GaN并不是真正意義上的MOSFET，而是HEMT(高電子遷移率晶體管)，其開(kāi)關(guān)特性具有MOSFET相近的功能。GaN HEMT是平面導電結構，不依賴(lài)于襯底，可以在藍寶石或者硅襯底上都能實(shí)現，但它難以實(shí)現常閉型器件。珠海鎵未來(lái)科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵未來(lái)”)市場(chǎng)總監張大江認為，解決方案有兩種：一種是在柵極加入P型摻雜，阻斷二維電子氣，實(shí)現常閉功能；另一種是在源極串聯(lián)低壓MOSFET，通過(guò)控制低壓MOSFET來(lái)提供GaN柵極的負壓關(guān)斷，其好處是MOSFET的驅動(dòng)抗干擾能力強。

除此之外，第三代半導體材料GaN目前的技術(shù)難點(diǎn)還來(lái)自于其他多方面。工藝的難度上，GaN材料面臨器件良率與一致性以及可靠性等問(wèn)題的挑戰;對于氮化鎵企業(yè)來(lái)說(shuō)，怎么能完善測試內容與流程用最快最準確的方式替客戶(hù)篩查出工作良好的器件；GaN的高耐熱，耐高頻，低Vth等特性注定了它與傳統硅器件不一樣的封裝方向；同時(shí)應用上，第三代半導體材料GaN的加入顛覆了傳統的電源行業(yè)，新的電源行業(yè)對PWM控制芯片、變壓器產(chǎn)商等都有了更高的要求。