隨著半導體技術的發(fā)展，等離子體刻蝕逐漸成為半導體制造工藝廣泛應用的技術。等離子體刻蝕產(chǎn)生的等離子體具有很強的腐蝕性，在刻蝕晶圓的過程中也會對工藝腔腔體和腔體內部件造成嚴重腐蝕，所以半導體加工設備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。

相對于有機和金屬材料，陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學腐蝕性能以及很高的工作溫度，因而在半導體工業(yè)中，多種陶瓷材料已成為半導體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設備核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心部件所處的工作環(huán)境以及對制程產(chǎn)品的品質要求，如耐等離子刻蝕性能，電性能，絕緣性等。等離子刻蝕設備應用陶瓷材料的部件主要有視窗鏡、靜電卡盤、聚焦環(huán)等。

其中，聚焦環(huán)的主要目的是提供均勻的等離子體，用于確?？涛g的一致性和準確性。同時，它還需要具備與硅晶圓相近的電導率。導電硅作為一種常用的聚焦環(huán)材料，它與硅晶圓的電導率幾乎接近，但不足是在含氟等離子體中耐刻蝕性差，刻蝕機部件材料常常使用一段時間后就會出現(xiàn)嚴重腐蝕的現(xiàn)象，嚴重降低其生產(chǎn)效率。碳化硅除了與硅具有相似的電導率以外，還具有良好的耐離子刻蝕性能，相對于導電硅，它更適合用作聚焦環(huán)材料。

SiC因其優(yōu)異的性能被廣泛用于半導體加工設備部件，例如碳化硅具有優(yōu)異的耐高溫特性，廣泛應用于各種沉積設備的核心部件材料。碳化硅具有優(yōu)異的導熱率以及與Si片較匹配的電導率被用作聚焦環(huán)材料，而且SiC具有更加優(yōu)異的耐等離子刻蝕性能，是極好的備選材料。

有研究人員研究了碳化硅在碳氟等離子中的刻蝕機理，其結論表明碳化硅經(jīng)碳氟等離子刻蝕后，表面發(fā)生一系列化學反應形成很薄一層碳氟聚合物薄膜，該薄膜可阻止活性氟基等離子體進一步與基體發(fā)生反應，因而相對于Si，其耐等離子刻蝕性能更加優(yōu)異。