碳化硅寬禁帶半導體目前存在的問(wèn)題
一、大尺寸SiC單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。
目前國際上已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品,單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術(shù);p型襯底技術(shù)的研發(fā)較為滯后。
二、n型SiC外延生長(cháng)技術(shù)有待進(jìn)一步提高。
三、SiC功率器件的市場(chǎng)優(yōu)勢尚未完全形成,尚不能撼動(dòng)目前硅功率半導體器件市場(chǎng)上的主體地位。
國際SiC器件領(lǐng)域:SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制;SiC器件工藝技術(shù)水平比較低;缺乏統一的測試評價(jià)標準。
中國SiC功率器件領(lǐng)域存在以下3個(gè)方面差距:
(1)在SiCMOSFET器件方面的研發(fā)進(jìn)展緩慢,只有少數單位具備獨立的研發(fā)能力,產(chǎn)業(yè)化水平不容樂(lè )觀(guān)。
(2)SiC芯片主要的工藝設備基本上被國外公司所壟斷,特別是高溫離子注入設備、超高溫退火設備和高質(zhì)量氧化層生長(cháng)設備等,國內大規模建立SiC工藝線(xiàn)所采用的關(guān)鍵設備基本需要進(jìn)口。
(3)SiC器件高端檢測設備被國外所壟斷。
四、目前SiC功率模塊存在的主要問(wèn)題:
(1)采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊,會(huì )產(chǎn)生較嚴重的電磁干擾和額外損耗,無(wú)法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能;SiC功率模塊雜散參數較大,可靠性不高。
(2)SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
五、SiC功率器件的驅動(dòng)技術(shù)尚不成熟。
六、SiC器件的應用模型尚不能全面反映SiC器件的物理特性。一般只適合于對精度要求較低的常規工業(yè)場(chǎng)合。
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