據粉體圈整理消息：8月22日，牛津儀器（OxfordInstrumentsplc）旗下等離子技術(shù)公司（PlasmaTechnology）推出一種新型SiC外延襯底化學(xué)機械拋光（CMP）的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻（PPDE），它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩定。

CMP多年來(lái)一直是SiC襯底制備的最好選擇，但它存在不良率的頑疾，這在當前滿(mǎn)足SiC需求增長(cháng)十分不利。首先，CMP漿料存在一定毒性，晶圓廠(chǎng)的CMP流程會(huì )對環(huán)境造成很大影響，并且大量消耗水資源；其次，CMP所須的拋光墊和特種化學(xué)品原材料成本高，且潛在供應鏈挑戰問(wèn)題；最后，CMP工藝本質(zhì)上會(huì )因為漿料中化學(xué)品和拋光墊的不斷消耗而導致效果漂移，最終產(chǎn)品不穩定。

PlasmaTechnology的戰略業(yè)務(wù)發(fā)展總監評論說(shuō)，“選擇等離子表面處理來(lái)生產(chǎn)SiC外延襯底是一個(gè)非常有吸引力的提議，作為一種與當前方法相比的技術(shù)，它以更低的成本提供更好的結果，并實(shí)現了SiC器件的環(huán)境可持續生產(chǎn)。”牛津儀器等離子技術(shù)公司將在9月正式推出PPDE專(zhuān)利工藝，并討論工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)施和替代CMP工藝。