晶盛機電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體
8月12日消息,經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗室研發(fā)團隊半年多的技術(shù)攻關(guān),晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐,標志著(zhù)晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代,同時(shí)這也是晶盛在寬禁帶半導體領(lǐng)域取得的又一標志性成果。
據了解,此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體,晶坯厚度25mm,直徑214mm,是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。
在技術(shù)上,晶盛成功解決了8英寸晶體生長(cháng)過(guò)程中多個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題,比如溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等等。
此外,還破解了SiC器件成本中襯底占比過(guò)高的難題,為大尺寸SiC襯底廣泛應用打下基礎。
SiC晶體生長(cháng)和加工技術(shù)自主可控是搶占未來(lái)競爭制高點(diǎn)的關(guān)鍵。晶盛機電通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的設備、熱場(chǎng)和工藝技術(shù),不斷延伸產(chǎn)品系列。
2017年,晶盛開(kāi)始布局碳化硅業(yè)務(wù)。
2020年,建立長(cháng)晶和加工中試線(xiàn),SiC晶體直徑也從最初的4英寸增大到如今的8英寸,進(jìn)一步縮小國內外技術(shù)差距,保障我國碳化硅產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵核心技術(shù)上的自主可控。
而此次8英寸SiC導電單晶研制成功,也極大地提升了晶盛在SiC單晶襯底行業(yè)的國際競爭力。
據悉,晶盛機電創(chuàng )建于2006年12月,目前已組建原料合成+長(cháng)晶+切磨拋的中試產(chǎn)線(xiàn),,并完成6-8英寸長(cháng)晶熱場(chǎng)和設備開(kāi)發(fā),產(chǎn)出6英寸襯底,在總厚度變化率(TTV)可穩定達到<3μm。
據悉,晶盛機電攜碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目落戶(hù)寧夏。該項目總投資50億元,該項目分兩期建設,將建設約7.5萬(wàn)平方米廠(chǎng)房及輔助設施,主要生產(chǎn)6英寸及以上導電型和半絕緣型碳化硅襯底晶片。一期預計3月開(kāi)工建設,投資總額33.6億元,一期建成達產(chǎn)后預計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬(wàn)片,年營(yíng)業(yè)收入24億元。
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