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昭和電工(SDK)實(shí)施8英寸碳化硅晶圓技術(shù)開(kāi)發(fā)9年計劃

文章出處:粉體圈網(wǎng)責任編輯:作者:粉體圈人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-05-27 16:39:00【

據粉體圈消息:5月23日,昭和電工(SDK)提出的“8英寸SiC晶圓技術(shù)開(kāi)發(fā)計劃”被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開(kāi)發(fā)組織(NEDO)選定為“綠色創(chuàng )新基金項目”。而就在今年3月,昭和電工剛剛宣布正式量產(chǎn)直徑6英寸(150mm)的碳化硅晶圓。

2020年10月,日本政府宣布其目標是到2050年實(shí)現碳中和。能源、貿易和工業(yè)部(METI)為此設立2萬(wàn)億日元的綠色創(chuàng )新基金,并由NEDO出面對創(chuàng )新進(jìn)行相應的投資。

作為獨立的SiC外延片供應商,SDK為功率器件制造商提供BestinClassSiC外延片,全球市場(chǎng)占有率領(lǐng)先。在該項目中,SDK計劃利用其知識產(chǎn)權組合和開(kāi)發(fā)專(zhuān)長(cháng),開(kāi)發(fā)直徑為8英寸的SiC外延片,并將缺陷密度降低至少一個(gè)數量級,從而降低下一代電源的生產(chǎn)成本半導體。在該項目的九年實(shí)施期間(從2022財年到2030財年),SDK旨在與日本國家先進(jìn)工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所(AIST)合作開(kāi)發(fā)技術(shù)以加快SiC塊狀單晶的生長(cháng)速度。

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