阻礙SiC陶瓷燒結的因素[ 12-30 14:34 ]

SiC的構成單元為Si與C原子比為1:1的正四面體，在SiC晶格中，Si與C之間的平均鍵能為300kJ/mol，共價(jià)鍵與離子鍵比值約為4:1，這使得其難以燒結成致密陶瓷。阻礙SiC陶瓷燒結的因素有以下兩個(gè)方面： ①熱力學(xué)方面 SiC的晶界能較高，粉體顆粒表面能相對較低，SiC陶瓷燒結推動(dòng)力低，燒結難度增大。目前可通過(guò)引入燒結助劑、選用納米級原料細粉及施加外部壓力的方式來(lái)促進(jìn)燒結。 ②動(dòng)力學(xué)方面 SiC晶格原子間的鍵能使得物質(zhì)遷移所需能量高，物質(zhì)難以擴散，而蒸發(fā)—凝聚傳質(zhì)至少需要蒸

碳化硅陶瓷膜分離技術(shù)的應用介紹[ 11-30 11:22 ]

1.油水分離   SiC陶瓷膜分離技術(shù)在油水分離中的應用最為廣泛，涉及的含油水種類(lèi)包括工業(yè)加工清洗油污水、船舶艙底油污水、石油工業(yè)及固體燃料熱加工工業(yè)的含油污水等。根據SiC陶瓷膜孔徑的不同（一般為0.01~10μm），其處理的油污種類(lèi)可包括浮油、乳化油乃至溶解油。與目前用于處理油氣勘探廢水的技術(shù)相比，SiC陶瓷膜分離技術(shù)不僅使整體分離系統更加緊湊，還減少了化學(xué)品的使用。   2.水質(zhì)凈化   SiC陶瓷超濾膜因具有高結構穩定性和選擇性，還可用于凈化水質(zhì)，分離水中的懸

碳化硅陶瓷膜的制備方法簡(jiǎn)要介紹[ 11-30 11:13 ]

碳化硅陶瓷膜現有制備技術(shù)有：顆粒堆積法、碳熱還原法、聚合物裂解法及化學(xué)氣相沉積法等。   1.顆粒堆積法 顆粒堆積法即固態(tài)粒子燒結法，這種方法脫胎于多孔陶瓷制備方法，是常見(jiàn)的陶瓷膜制備方法，在大顆粒中摻雜小顆粒，利用細小顆粒容易燒結的特點(diǎn)，升至一定溫度使大顆粒間形成連接，其中理想情況為大顆粒間頸部粘接，留有大量貫通孔道，同時(shí)保有較好的力學(xué)性能。 顆粒堆積法工藝流程圖（文章圖片來(lái)源：新型陶瓷公眾號）   2.碳熱還原反應燒結法 碳熱還原反應燒結主要使用適量的硅源和碳作為原料均

碳化硅陶瓷膜優(yōu)點(diǎn)介紹[ 11-30 11:07 ]

碳化硅陶瓷膜主要具有以下優(yōu)點(diǎn)： ♦化學(xué)穩定性好，耐強酸強堿以及所有有機溶劑； ♦熱穩定好，耐熱沖擊——在高溫條件下穩定運行； ♦開(kāi)口孔隙率高、通量大； ♦親水疏油性好——能高效進(jìn)行油水分離； ♦膜結合強度高，耐磨性好。   SiC膜與其他膜的優(yōu)勢性能對照表 圖片來(lái)源：新型陶瓷公眾號

什么是碳化硅陶瓷膜？[ 11-30 09:34 ]

碳化硅陶瓷膜是一種新型的非氧化物無(wú)機膜，不僅具有機械強度高、孔徑分布集中、抗熱震性能佳、使用壽命長(cháng)等特點(diǎn)，而且在膜通量、高溫穩定性、以及耐強酸強堿等方面有著(zhù)突出的優(yōu)勢，將其用于重金屬廢水的處理，是一種有益的嘗試。碳化硅（SiC）陶瓷膜分離技術(shù)被認為是近年來(lái)發(fā)展最迅速的膜分離新技術(shù)之一。 圖片來(lái)源：迪潔膜官網(wǎng) 碳化硅陶瓷膜（SIC）采用重結晶技術(shù)通過(guò)高溫燒結而成，其分離層、過(guò)渡層以及多孔支撐層全部為SiC材料，其過(guò)濾精度多為微濾和超濾。按膜結構不同一般分為管式膜和平板膜。管式膜由分離層、過(guò)渡層和支撐層組成，平