碳化硅作為強共價(jià)鍵化合物所具有的顯著(zhù)特點(diǎn)[ 03-10 15:20 ]

碳化硅是一種強共價(jià)鍵化合物，具有以下顯著(zhù)特點(diǎn)： 1）密度低、彈性模量高； 2）硬度高，耐磨損性能好； 3）化學(xué)穩定性好，耐腐蝕性能優(yōu)異； 4）高溫強度高、抗蠕變性好； 5）電阻率可控，具有半導體特性； 6）熱膨脹系數低、熱導率高。

高導熱碳化硅陶瓷的需求量急劇增長(cháng)[ 03-02 09:19 ]

碳化硅作為一種重要的結構陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環(huán)、滑動(dòng)軸承等傳統工業(yè)領(lǐng)域，還可作為防彈裝甲材料、空間反射鏡、半導體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。 隨著(zhù)科技的不斷發(fā)展，碳化硅陶瓷在半導體領(lǐng)域的應用需求量急劇增長(cháng)，而高熱導率是其應用于半導體制造設備元器件的關(guān)鍵指標，因此加強高導熱碳化硅陶瓷的研究至關(guān)重要。減少晶格氧含量、提高致密性、合理調控第二相在晶格中的分布方式是提高碳化硅陶瓷熱導率的主要方法

碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應用[ 02-26 13:37 ]

回溯半導體技術(shù)的發(fā)展歷程，大致分為3個(gè)時(shí)代。第一代半導體材料主要是硅和鍺，上世紀60年代之后，硅基半導體逐漸成為主流，直到現在依然是應用最為廣泛的半導體材料，全球95%以上的芯片是以硅片為基礎材料制成的。第二代半導體材料的代表是砷化鎵，可以制造更高頻、高速的集成電路，但是以目前的需求來(lái)看，砷化鎵材料的禁帶寬度依然較小。第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的材料，可以制備耐高壓、高頻的功率器件。這些材料中，碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導體材料，目前已經(jīng)在5G通信、PD快充、新能源汽車(chē)

碳化硅功率模塊的應用[ 02-21 12:18 ]

碳化硅模塊是支撐各種工業(yè)應用的關(guān)鍵技術(shù)之一，相比傳統硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結溫、更低寄生電感、更低熱阻等特性。在需要提升系統功率密度、使用更高主開(kāi)關(guān)頻率的尖端電力電子設備的性能升級過(guò)程中，現有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢復二極管）的性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足要求，需要高性能與性?xún)r(jià)比兼具的主開(kāi)關(guān)器件。 隨著(zhù)SiC技術(shù)的日趨成熟和商業(yè)化應用，其獨特的耐高溫性能不斷加速推動(dòng)結溫從150℃邁向175℃，甚至已出現了200℃的產(chǎn)品。借助于這種獨特的高溫特性和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢，可以為未來(lái)的高

燒結溫度對SiC多孔陶瓷性能的影響[ 02-20 08:36 ]

(1)XRD分析表明，隨著(zhù)燒結溫度的升高，SiO2的特征衍射峰強度逐漸升高，在1690℃時(shí)SiO2的特征衍射峰強度最高，這是因為燒結溫度較高導致了SiC表面發(fā)生了氧化反應，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。 (2)氣孔率測試發(fā)現，隨著(zhù)燒結溫度的升高，SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現出先降低后增加的趨勢，在1660℃時(shí)氣孔率最低為32.1％。 (3)分析發(fā)現，在1600和1630℃下燒結的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多，且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散；隨著(zhù)燒結溫度的升高，小顆粒相逐漸減少，斷面出現了較多的氣孔，且