「一圖GET」一圖搞懂碳化硅——襯底篇[ 05-19 14:24 ]

 

蔚來(lái)下一代電動(dòng)車(chē)將選用安森美最新SiC功率模塊[ 05-18 15:07 ]

近年來(lái)，新能源汽車(chē)遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進(jìn)一步提升車(chē)輛的經(jīng)濟性。為此，全球汽車(chē)行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數十億美元，皆因業(yè)界認為這類(lèi)技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動(dòng)汽車(chē)。 近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車(chē)創(chuàng )新企業(yè)蔚來(lái)（NIOInc.）為其下一代電動(dòng)車(chē)（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎的功率模塊能使電動(dòng)車(chē)的續航里程更遠、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進(jìn)程，為市場(chǎng)帶來(lái)配備先進(jìn)半導體材料的電動(dòng)車(chē)。 據悉，

Soitec發(fā)布8英寸SiC襯底，拓展碳化硅產(chǎn)品組合[ 05-12 15:30 ]

據中國粉體網(wǎng)訊 Soitec近日發(fā)布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圓。這標志著(zhù)Soitec公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圓的研發(fā)水準再創(chuàng )新高，可滿(mǎn)足汽車(chē)市場(chǎng)不斷增長(cháng)的需求。 首批200mmSmartSiC™襯底誕生于Soitec與CEA-Leti合作的襯底創(chuàng )新中心的先進(jìn)試驗線(xiàn)，該中心位于格勒諾布爾。該批200mmSmartSiC襯底將會(huì )在關(guān)鍵客戶(hù)中進(jìn)行首輪驗證，展示其質(zhì)量及性能。 Soitec于2022年3月

中泰恒創(chuàng )攜手中匯環(huán)球投入100億美元開(kāi)展碳化硅項目[ 05-11 16:26 ]

近日，中泰恒創(chuàng )科技有限公司與中匯環(huán)球集團有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市場(chǎng)”項目舉行簽約儀式。此次中泰恒創(chuàng )與中匯環(huán)球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市場(chǎng)方向。 據悉，中匯環(huán)球為中泰恒創(chuàng )提供100億美元以上自主融合國際主權財富基金的參與和支持，主要支持中泰恒創(chuàng )在開(kāi)發(fā)生產(chǎn)IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型產(chǎn)品，以及建立創(chuàng )新創(chuàng )業(yè)產(chǎn)業(yè)園。 目前，中泰恒創(chuàng )已落地施行的半導體項目可分為三個(gè)階段，第一階段收益預計100億元，第二階段預計580億元，到第三階段完成，整

中科院物理研究所成功制備單一晶型8英寸SiC晶體[ 05-10 12:22 ]

近期，中科院物理研究所在寬禁帶半導體領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，研人員通過(guò)優(yōu)化生長(cháng)工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問(wèn)題，持續改善晶體結晶質(zhì)量，成功生長(cháng)出單一4H晶型的8英寸SiC晶體。 SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節形成，襯底在SiC器件成本中占比高達約45%。進(jìn)一步擴大SiC襯底尺寸，在單個(gè)襯底上增加器件的數量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢。8英寸SiC晶體生長(cháng)的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來(lái)的溫場(chǎng)不均勻、氣相原料分布和輸運效率問(wèn)題；另外