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SiC單晶技術(shù)研發(fā)歷史[ 05-06 16:22 ]
Si和SiC作為半導體材料幾乎同時(shí)被提出,但由于SiC生長(cháng)技術(shù)的復雜和缺陷、多型現象的存在,其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經(jīng)了多個(gè)重要階段。第一個(gè)階段是結構基本性質(zhì)和生長(cháng)技術(shù)的探索階段,時(shí)間跨度從1924年發(fā)現SiC結構至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質(zhì)研究和英寸級別單晶生長(cháng)的技術(shù)積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長(cháng)方法基本確定、摻雜半絕緣技術(shù)被提出,至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后,隨著(zhù)國際上半導體照明及2英寸SiC單晶
關(guān)于取消召開(kāi)2022年春季全國磨料磨具行業(yè)信息交流會(huì )的通知[ 05-05 17:07 ]
國際半導體行業(yè)巨頭搶灘8英寸碳化硅晶圓襯底[ 05-02 08:03 ]
從目前全球市場(chǎng)情況來(lái)看,目前SiC半導體市場(chǎng)主要由Wolfspeed、英飛凌、羅姆半導體旗下SiCrystal、II-IV、新日鐵住金及道康寧等國外廠(chǎng)商占據著(zhù)。同時(shí),根據市場(chǎng)的公開(kāi)資料顯示,這些廠(chǎng)商在進(jìn)入6英寸生產(chǎn)后,在近兩年來(lái),其中一部分廠(chǎng)商又對其6英寸產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行了擴產(chǎn),并在積極推動(dòng)SiC向8英寸發(fā)展。 在國際知名大廠(chǎng)中,據“三代半風(fēng)向”統計,目前有7家企業(yè)能夠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓襯底,包括英飛凌、Wolfspeed、羅姆、II-VI、Soitec,意法半導體以及中國的爍科晶體。
第六屆“鄭州三磨展”將延期舉辦[ 04-29 13:04 ]
受新冠疫情近期發(fā)展態(tài)勢影響,原定于2022年5月26-28日舉辦的第六屆“鄭州三磨展”將延期舉辦。具體舉辦時(shí)間另行通知。
韓國成立碳化硅產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟[ 04-27 13:53 ]
據 粉體網(wǎng)信息 韓媒ETNews報道,為了開(kāi)發(fā)新一代功率半導體,韓國將于14日正式推出其由國內半導體企業(yè)、大學(xué)、研究所等組成的“新一代晶體工程部”,以應對碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(GaO)等迅速增長(cháng)的全球功率半導體市場(chǎng)。 該研究部門(mén)的目標是開(kāi)發(fā)以碳化硅(SiC)為基礎的國產(chǎn)功率半導體生態(tài)系統,還將培育與碳化硅半導體相關(guān)的材料、零部件和設備企業(yè)的發(fā)展,并決定為應對碳化硅半導體市場(chǎng)的增長(cháng),組成聯(lián)盟。 在該聯(lián)盟中,LXSemiconductor、SKsilt
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