高純碳化硅微量元素測定啟用新國標[ 09-02 12:43 ]

  據中國粉體網(wǎng)發(fā)布相關(guān)消息獲悉：2019年9月1日起，高純碳化硅微量元素的測定啟用新國標（GB/T37254-2018）。     高純碳化硅微量元素的測定（GB/T37254-2018）規定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-OES）法和電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）法測定高純碳化硅中微量元素含量的方法。     本標準適用于碳化硅質(zhì)量分數含量大于或等于99.9%的高純碳化硅材料中鋁、砷、鈣、鉻、銅、鐵、汞、鉀、鎂、錳、鈉、鎳、鉛、硫、鈦、

碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)勢和應用[ 08-30 16:44 ]

  碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結勢壘肖特基二極管結構（JBS），因此相比于傳統的硅快恢復二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性。可以有效降低反向漏電流，具備更好的耐高壓能力。另一個(gè)重要的特點(diǎn)是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數，隨著(zhù)溫度的上升電阻也逐漸上升，這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯(lián)實(shí)用，增加了系統的安全性和可靠性。在器件從正向導通向反向阻斷轉換時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復電流，反向恢復時(shí)間小于20ns，甚至600V10A的碳化

得碳化硅者得天下[ 08-28 10:51 ]

如果問(wèn)近期哪種工業(yè)原材料最受矚目？碳化硅材料無(wú)疑是最炙手可熱的一種。以SiC碳化硅為代表的第三代半導體具有寬禁帶、高熱導率，高擊穿場(chǎng)，高飽和電子漂移速率，化學(xué)性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，因此碳化硅成為制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料。 據某企業(yè)征信機構網(wǎng)站資料顯示，華為旗下全資子公司哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%（位列第二股東）。山東天岳是一家以碳化硅晶體襯底材料生產(chǎn)研發(fā)為主的國內第三代半導體材料企業(yè)。該企業(yè)成立2011年12

關(guān)于召開(kāi)2019年春季全國磨料磨具行業(yè)信息交流 暨第六十九屆中國剛玉碳化硅交易會(huì )的通知[ 02-16 13:41 ]

  茲定于2019年3月26日-28日，在湖南長(cháng)沙舉辦2019年春季全國磨料磨具行業(yè)信息交流暨第六十九屆中國剛玉碳化硅交易會(huì )。現將有關(guān)事項通知如下：   一、會(huì )議時(shí)間：2019年3月26-28日；26日全天報到（截至時(shí)間為22點(diǎn)）。29號中午12點(diǎn)以前離開(kāi)酒店   二、會(huì )議地址： 長(cháng)沙湘府新都大酒店   湖南省長(cháng)沙市雨花區香樟路264號     三、會(huì )議內容：   27日上午： 1、邀請國家信息中心經(jīng)濟預測部副主任牛

2019年中國機床工具市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)形勢分析[ 01-23 08:32 ]

21世紀的前10年，伴隨著(zhù)國家經(jīng)濟的高速發(fā)展，機床工具行業(yè)持續10余年快速增長(cháng)。2012年以來(lái)，在經(jīng)濟新常態(tài)大背景下，行業(yè)進(jìn)入轉型升級階段。其主要特征是需求總量下降，需求檔次提高，增長(cháng)速度有所降低。