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燒結溫度對SiC多孔陶瓷性能的影響

文章出處:先進(jìn)陶瓷材料網(wǎng)責任編輯:作者:先進(jìn)陶瓷材料人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-02-20 08:36:00【

(1)XRD分析表明,隨著(zhù)燒結溫度的升高,SiO2的特征衍射峰強度逐漸升高,在1690℃時(shí)SiO2的特征衍射峰強度最高,這是因為燒結溫度較高導致了SiC表面發(fā)生了氧化反應,形成了致密的氧化膜,包覆了SiC。

(2)氣孔率測試發(fā)現,隨著(zhù)燒結溫度的升高,SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現出先降低后增加的趨勢,在1660℃時(shí)氣孔率最低為32.1%。

(3)分析發(fā)現,在1600和1630℃下燒結的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多,且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散;隨著(zhù)燒結溫度的升高,小顆粒相逐漸減少,斷面出現了較多的氣孔,且部分氣孔尺寸較大,SiC陶瓷整體逐漸收縮緊密;繼續升高燒結溫度,晶粒逐漸長(cháng)大,整體的致密性有降低的趨勢。

(4)力學(xué)性能分析發(fā)現,隨著(zhù)燒結溫度的升高,SiC多孔陶瓷的壓縮強度先升高后輕微下降,在1660℃時(shí)壓縮強度達到了最大值25.6MPa,相比1600℃,壓縮強度提高了46.9%。

(5)油水分離測試發(fā)現,隨著(zhù)燒結溫度的升高,SiC多孔陶瓷的膜通量出現了先降低后有略微升高的趨勢,截留率出現了先升高后輕微降低的趨勢。在燒結溫度為1660℃時(shí),膜通量最低為553.8L/(m2·h),截留率最高為91.5%。可見(jiàn)當燒結溫度為為1660℃時(shí),多孔SiC陶瓷的油污分離以及廢水處理性能最佳。

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