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低翹曲度碳化硅晶體切割技術(shù)難點(diǎn)

文章出處:粉體網(wǎng)網(wǎng)責任編輯:作者:山川人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-03-16 15:44:00【

碳化硅的莫氏硬度為9.5,硬度與金剛石接近,只能用金剛石材料進(jìn)行切割,切割難度大,保證切割過(guò)程穩定獲得低翹曲度的晶片是技術(shù)難點(diǎn)之一。

為了達到下游外延開(kāi)盒即用的質(zhì)量水平,需要對碳化硅襯底表面進(jìn)行超精密加工,以降低表面粗糙度、表面平整度并達到嚴苛的金屬、顆粒控制要求。

化學(xué)機械拋光屬于化學(xué)作用和機械作用相結合的技術(shù),碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學(xué)反應,生成一層相對容易去除的軟質(zhì)層,然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機械作用下去除軟質(zhì)層,在化學(xué)作用和機械作用的交替進(jìn)行的過(guò)程中完成表面拋光,過(guò)程較為復雜。

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