高純度碳化硅生長(cháng)原料合成技術(shù)
生長(cháng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高,其中雜質(zhì)含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中,氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體;液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿(mǎn)足單晶生長(cháng)需要的SiC粉體;固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法將固態(tài)的Si源和C源作為原料,使其在1400~2000℃的高溫下持續反應,最后得到高純SiC粉體,是目前使用范圍最廣,合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。
天岳先進(jìn)使用的高純碳化硅是將高純硅粉和高純碳粉按工藝配方均勻混合,在2000℃以上的高溫條件下,于反應腔室內通過(guò)特定反應工藝,去除反應環(huán)境中殘余的、反應微粉表面吸附的痕量雜質(zhì),使硅粉和碳粉按照既定化學(xué)計量比反應合成特定晶型和顆粒度的碳化硅顆粒。再經(jīng)過(guò)破碎、篩分、清洗等工序,制得滿(mǎn)足晶體生長(cháng)要求的高純度碳化硅粉原料。
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