1.碳化硅合成電爐 
  爐子長(cháng)度為7~17m,寬度為1.8~4m，高度1.7~3m。長(cháng)方形電極塊固定在兩個(gè)端墻上,并要伸入到爐子內部。為了防止電極的氧化，在電極塊上涂上涂料。
  爐芯是由焦炭塊構成，粒度為50~100mm，是用以通電的。爐子功率一般為750~2500kW，每1kgSiC電耗為7~9kW.h，生產(chǎn)周期升溫時(shí)間為26~36h,冷卻24h。
  2.碳化硅合成工藝
  (1)配料計算式中，C為碳含量，Si02為二氧化硅含量，M=37.5。碳的加入量允許過(guò)量5%。爐內配料的重量比見(jiàn)表9-3。加入食鹽的目的是為了排除原料的鐵、鋁等雜質(zhì)，加人木屑是便于排除生成的一氧化碳。
  (2)生產(chǎn)操作：
  采用混料機混料，控制水分為2%~3%,混合后料容重為1.4~1.6g/cm3。裝料順序是在爐底先鋪上一層未反應料，然后添加新配料到一定高度（約爐芯到爐底的二分之一），在其上面鋪一層非晶形料，然后繼續加配料至爐芯水平。爐芯放在配料制成的底盤(pán)上，中間略凸起以適應在爐役過(guò)程中出現的塌陷。爐芯上部鋪放混好的配料，同時(shí)也放非晶質(zhì)料或生產(chǎn)未反應料，爐子裝好后形成中間高、兩邊低（與爐墻平）。爐子裝好后即可通電合成，以電流電壓強度來(lái)控制反應過(guò)程。當爐溫升到1500℃時(shí)，開(kāi)始生成β-SiC,從2100℃開(kāi)始轉化成α-SiC，2400℃全部轉化成α-SiC。合成時(shí)間為26~36h,冷卻24h后可以澆水冷卻，出爐后分層、分級揀選。破碎后用硫酸酸洗，除掉合成料中的鐵、鋁、鈣、鎂等雜質(zhì)。