與傳統的單晶硅使用提拉法制備不同，目前規模化生長(cháng)SiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來(lái)了SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)：

1、生長(cháng)條件苛刻，需要在高溫下進(jìn)行。一般而言，SiC氣相生長(cháng)溫度在2300℃以上，壓力350MPa，而硅僅需1600℃左右。高溫對設備和工藝控制帶來(lái)了極高的要求，生產(chǎn)過(guò)程幾乎是黑箱操作難以觀(guān)測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會(huì )導致生長(cháng)數天的產(chǎn)品失敗。

2、生長(cháng)速度慢。PVT法生長(cháng)SiC的速度緩慢，7天才能生長(cháng)2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長(cháng)的8英寸硅棒。

還有一個(gè)令人頭疼的問(wèn)題，SiC存在200多種晶體結構類(lèi)型，其中六方結構的4H型(4H-SiC)等少數幾種晶體結構的單晶型SiC才是所需的半導體材料，在晶體生長(cháng)過(guò)程中需要精確控制硅碳比、生長(cháng)溫度梯度、晶體生長(cháng)速率以及氣流氣壓等參數，否則容易產(chǎn)生多晶型夾雜，導致產(chǎn)出的晶體不合格。