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無(wú)壓燒結碳化硅陶瓷

文章出處:原創(chuàng )網(wǎng)責任編輯:劉坤尚作者:劉坤尚人氣:-發(fā)表時(shí)間:2015-12-02 15:21:00【

  1974年美國GE公司通過(guò)在高純度β-SiC細粉中同時(shí)加入少量的B和C,采用無(wú)壓燒結工藝,于2020℃成功地獲得高密度碳化硅陶瓷。目前,該工藝已成為制備碳化硅陶瓷的主要方法。美國GE公司研究者認為:晶界能與表面能之比小于1.732是致密化的熱力學(xué)條件,當同時(shí)添加B和C后,B固溶到SiC中,使晶界能降低,C把SiC粒子表面的SiO2還原除去,提高表面能,因此B和C的添加為SiC的致密化創(chuàng )造了熱力學(xué)方面的有利條件。以α-SiC為原料,同時(shí)添加B和C,也同樣可實(shí)現SiC的致密燒結。
  研究表明:?jiǎn)为毷褂茫潞停米魈砑觿瑹o(wú)助于碳化硅陶瓷充分致密。只有同時(shí)添加B和C時(shí),才能實(shí)現碳化硅陶瓷的高密度化。為了碳化硅的致密燒結,碳化硅粉料的比表面積應在10㎡/g以上,且氧含量盡可能低。B的添加量在0.5%左右,C的添加量取決于SiC原料中氧含量高低,通常C的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。

此文關(guān)鍵字:碳化硅 碳化硅陶瓷
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