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[行業(yè)資訊]最新碳化硅價(jià)格行情[ 2024-07-11 11:30 ]

在科技的日新月異中，碳化硅（SiC）作為新一代半導體材料的代表，正以其卓越的性能和廣泛的應用前景，引領(lǐng)著(zhù)電子產(chǎn)業(yè)的綠色革命。隨著(zhù)全球對可持續發(fā)展和節能減排的日益重視，碳化硅材料因其高效率、耐高溫、抗高壓等特性，在電力電子、新能源汽車(chē)、5G通訊等領(lǐng)域展現出巨大的市場(chǎng)潛力。近期，碳化硅的價(jià)格走勢成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。據行業(yè)分析，2024年第二季度，受全球芯片需求增長(cháng)和供應鏈調整的影響，碳化硅材料及其器件的價(jià)格呈現出穩中有升的趨勢。一方面，新能源汽車(chē)行業(yè)的迅猛發(fā)展，對高性能、低能耗的功率半導體提出了更高要求，碳化硅二極

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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底領(lǐng)域國產(chǎn)替代成效顯著(zhù)[ 2022-09-17 15:03 ]

碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距，但國內企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實(shí)現部分國產(chǎn)替代，8英寸晶圓也在研制過(guò)程中，國產(chǎn)替代進(jìn)程講持續突破。碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個(gè)部分，分別占市場(chǎng)總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長(cháng)過(guò)程繁瑣，晶圓切割困難等特點(diǎn)，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO

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[行業(yè)資訊]寬禁帶半導體材料的優(yōu)點(diǎn)[ 2022-09-09 17:05 ]

碳化硅，氮化鎵有個(gè)很拉風(fēng)的名字叫寬禁帶半導體材料，國內也叫第三代半導體。它特指禁帶寬度超過(guò)2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過(guò)4.0eV叫超寬禁帶半導體材料，國內叫第四代半導體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國搞制裁的那個(gè)，有意思的是美國只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說(shuō)明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國搞的出色些。禁帶寬度物理意義是實(shí)際上是反映了價(jià)電子被束縛強弱程度的一個(gè)物理量，也就是產(chǎn)

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[行業(yè)資訊]晶盛機電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 2022-08-26 17:05 ]

8月12日消息，經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗室研發(fā)團隊半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標志著(zhù)晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代，同時(shí)這也是晶盛在寬禁帶半導體領(lǐng)域取得的又一標志性成果。據了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長(cháng)過(guò)程中多個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題，比如溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等等。此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過(guò)高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛

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[行業(yè)資訊]天岳先進(jìn)6英寸導電型碳化硅襯底獲14億訂單[ 2022-08-12 14:25 ]

粉體圈消息：近期，天岳先進(jìn)發(fā)布公告，公司簽署了時(shí)長(cháng)三年(2023-2025)的6英寸導電型碳化硅襯底產(chǎn)品銷(xiāo)售合同，據測算，預計含稅銷(xiāo)售三年合計金額為人民幣13.93億元。但對于簽約客戶(hù)名稱(chēng)和具體情況，天岳先進(jìn)本次并未披露。去年12月30日，天岳先進(jìn)首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng )板上市，據招股說(shuō)明書(shū)，擬募集資金20億元主要用于碳化硅半導體材料項目，該項目主要用于生產(chǎn)6英寸導電型碳化硅襯底材料，計劃于2026年達產(chǎn)，達產(chǎn)后將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬(wàn)片/年。今年6月，天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺表示，他們已成

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]碳化硅器件被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”[ 2022-07-19 16:23 ]

2018年，特斯拉在Model3電驅主逆變器上，率先采用了意法半導體供應的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件開(kāi)始逐漸成為市場(chǎng)發(fā)展的熱點(diǎn)。碳化硅為代表的第三代半導體是支撐新能源汽車(chē)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。其中碳化硅功率模塊是新能源汽車(chē)電機驅動(dòng)系統的關(guān)鍵部件，具備耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)頻率、低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn)，對整車(chē)的主要技術(shù)指標和整體性能有著(zhù)重要影響。碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場(chǎng)合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著(zhù)降低電子設備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新

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[行業(yè)資訊]新能源車(chē)用半導體價(jià)值量提升碳化硅倍受期待[ 2022-07-13 09:12 ]

一直以來(lái)，硅是制造半導體芯片最常用的材料，目前90%以上的半導體產(chǎn)品是以硅為襯底制成的。究其原因，是硅的儲備量大，成本比較低，并且制備比較簡(jiǎn)單。然而，硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應用卻受阻，且硅在高頻下的工作性能較差，不適用于高壓應用場(chǎng)景。這些限制讓硅基功率器件已經(jīng)漸漸難以滿(mǎn)足新能源車(chē)及高鐵等新興應用對器件高功率及高頻性能的需求。在這個(gè)背景下，碳化硅走到了聚光燈下。相比于第一代和第二代半導體材料，SiC具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)特性，除了禁帶寬度，還具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度

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[行業(yè)資訊]中電化合物攜手浙大，聚焦碳化硅和氮化鎵[ 2022-06-23 16:09 ]

近日，中電化合物半導體有限公司和浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院成立聯(lián)合培養實(shí)踐基地。旨在加強產(chǎn)學(xué)研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養兼具豐富理論知識和實(shí)踐能力的高層次材料工程人才。中電化合物以此為契機，加大人才引進(jìn)力度，以創(chuàng )新為抓手，持續研發(fā)投入，打造公司的核心競爭力。中電化合物公司是由中國電子下屬的華大半導體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的專(zhuān)業(yè)化寬禁帶半導體材料制造企業(yè)。 2019年，中電化合物半導體項目落戶(hù)在寧波杭州灣新區，是浙江省首個(gè)第三代半導體項目，總

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[行業(yè)資訊]比亞迪等新能源車(chē)企扎堆布局碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(cháng)[ 2022-06-21 11:30 ]

近期，新能源車(chē)企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相關(guān)領(lǐng)域投資迎來(lái)密集落地。日前，新能源汽車(chē)龍頭比亞迪入股天域半導體，華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資也于去年入股該公司。資料顯示，天域半導體是國內第一家獲得汽車(chē)質(zhì)量認證（IATF16949）的碳化硅半導體材料供應鏈企業(yè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半導體宣布完成C2輪融資，由廣汽資本等機構聯(lián)合投資。5月下旬，由理想汽車(chē)及三安光電共同出資組建的碳化硅車(chē)規芯片模組公司蘇州斯科半導體落戶(hù)蘇州。作為第三代半導體材料的

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[行業(yè)資訊]德智新材投資2.5億半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成主體工程建設[ 2022-06-17 17:19 ]

近日，在新馬工業(yè)園內，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產(chǎn)，一項“卡脖子”的高精尖技術(shù)，即將在株洲順利實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。 SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節中的關(guān)鍵耗材，在半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進(jìn)行生長(cháng)SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節。長(cháng)期以來(lái)，圍繞半導體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節，但因其技術(shù)壁壘高，長(cháng)期被美

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]第三代半導體——碳化硅究竟用在哪？[ 2022-06-06 16:37 ]

SiC是目前相對成熟、應用最廣的寬禁帶半導體材料，基于SiC的功率器件相較Si基器件具有耐高壓、耐高溫、抗輻射、散熱能力佳、導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗更低、開(kāi)關(guān)頻率更高、可減小模塊體積等杰出特性，不僅可廣泛用于電動(dòng)汽車(chē)驅動(dòng)系統、列車(chē)牽引設備、充電樁、開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變器、伺服電機、高壓直流輸電設備等民用場(chǎng)景，還可顯著(zhù)提升戰斗機、戰艦等軍用系統裝備的性能。 1.新能源汽車(chē) 車(chē)載充電機（OBC）：車(chē)載充電機是指固定在汽車(chē)上，可將地面的交流充電樁輸入的交流電轉換為直流電，直接給動(dòng)力電池充電，充電過(guò)程中宜由車(chē)載充電機提

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[行業(yè)資訊]碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)未來(lái)可期[ 2022-05-23 17:12 ]

集微網(wǎng)消息，當前，汽車(chē)動(dòng)力系統在發(fā)生三大變化，動(dòng)力來(lái)源從內燃機演變?yōu)殡妱?dòng)機，功率半導體材料從硅轉向碳化硅，電壓平臺從400V升級到800V。跨入新能源汽車(chē)，為了滿(mǎn)足大電流、高電壓的需求，搭載的功率半導體也大幅提升，具體而言，碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)中的應用場(chǎng)景包括：主驅逆變器、OBC（車(chē)載充電器）、快速充電樁，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主電機控制器應用是大勢所趨。 ST最早量產(chǎn)并大量應用于特斯拉，并用較低的價(jià)格搶占市場(chǎng)份額，以達到規模經(jīng)濟。在過(guò)去的幾年時(shí)間里，全球碳化硅市場(chǎng)上相關(guān)企業(yè)動(dòng)作

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[行業(yè)資訊]蔚來(lái)下一代電動(dòng)車(chē)將選用安森美最新SiC功率模塊[ 2022-05-18 15:07 ]

近年來(lái)，新能源汽車(chē)遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進(jìn)一步提升車(chē)輛的經(jīng)濟性。為此，全球汽車(chē)行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數十億美元，皆因業(yè)界認為這類(lèi)技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動(dòng)汽車(chē)。近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車(chē)創(chuàng )新企業(yè)蔚來(lái)（NIOInc.）為其下一代電動(dòng)車(chē)（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎的功率模塊能使電動(dòng)車(chē)的續航里程更遠、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進(jìn)程，為市場(chǎng)帶來(lái)配備先進(jìn)半導體材料的電動(dòng)車(chē)。據悉，

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[行業(yè)資訊]SiC單晶技術(shù)研發(fā)歷史[ 2022-05-06 16:22 ]

Si和SiC作為半導體材料幾乎同時(shí)被提出，但由于SiC生長(cháng)技術(shù)的復雜和缺陷、多型現象的存在，其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經(jīng)了多個(gè)重要階段。第一個(gè)階段是結構基本性質(zhì)和生長(cháng)技術(shù)的探索階段，時(shí)間跨度從1924年發(fā)現SiC結構至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質(zhì)研究和英寸級別單晶生長(cháng)的技術(shù)積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長(cháng)方法基本確定、摻雜半絕緣技術(shù)被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著(zhù)國際上半導體照明及2英寸SiC單晶

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[行業(yè)資訊]華為猛投SiC賽道有何戰略意圖？[ 2022-03-21 16:13 ]

去年9月底，華為發(fā)布了《數字能源2030》白皮書(shū)，白皮書(shū)中指出，“電力電子技術(shù)和數字技術(shù)成為驅動(dòng)能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術(shù)的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術(shù)日益成熟，產(chǎn)業(yè)規模不斷壯大，在能源領(lǐng)域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續支撐技術(shù)和產(chǎn)業(yè)快速前進(jìn)的要求。進(jìn)入新世紀以來(lái)，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術(shù)帶來(lái)了

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[行業(yè)資訊]晶盛機電年產(chǎn)40萬(wàn)片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目3月開(kāi)工[ 2022-03-04 09:30 ]

近日，由浙江晶盛機電股份有限公司總投資50億元建設的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目”落戶(hù)寧夏銀川。其中，一期預計3月開(kāi)工建設，投資總額33.6億元，一期建成達產(chǎn)后預計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬(wàn)片。晶盛機電主要圍繞硅、碳化硅、藍寶石三大主要半導體材料開(kāi)展業(yè)務(wù)，具備全球最大的700Kg藍寶石生長(cháng)能力。據2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項目和年產(chǎn)80臺套半導體材料拋光及減薄設備生產(chǎn)制造項目的公告披露，晶盛機電已組建一條從原料合成-晶體生長(cháng)-切磨拋加工的中試產(chǎn)線(xiàn)，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶(hù)驗

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[金蒙新材料百科]碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應用[ 2022-02-26 13:37 ]

回溯半導體技術(shù)的發(fā)展歷程，大致分為3個(gè)時(shí)代。第一代半導體材料主要是硅和鍺，上世紀60年代之后，硅基半導體逐漸成為主流，直到現在依然是應用最為廣泛的半導體材料，全球95%以上的芯片是以硅片為基礎材料制成的。第二代半導體材料的代表是砷化鎵，可以制造更高頻、高速的集成電路，但是以目前的需求來(lái)看，砷化鎵材料的禁帶寬度依然較小。第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的材料，可以制備耐高壓、高頻的功率器件。這些材料中，碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導體材料，目前已經(jīng)在5G通信、PD快充、新能源汽車(chē)

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[行業(yè)資訊]河南：積極布局5G、半導體材料產(chǎn)業(yè)，重點(diǎn)發(fā)展碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料[ 2022-02-18 08:40 ]

在5G方面，要培育引進(jìn)一批5G智能終端、通信模組、天饋線(xiàn)、5G小型化基站設備、5G高頻元器件等制造企業(yè)和項目，加快形成5G關(guān)鍵器件及材料生產(chǎn)能力。建設5G產(chǎn)品監測、認證、入網(wǎng)檢測等公共服務(wù)平臺，搭建5G創(chuàng )新中心，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜合服務(wù)水平。實(shí)施5G融合應用工程，重點(diǎn)推動(dòng)5G在工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧農業(yè)、智慧醫療等領(lǐng)域融合應用，打造一批5G標桿應用場(chǎng)景。在半導體方面，積極布局半導體材料產(chǎn)業(yè)，發(fā)展以碳化硅、氮化鎵為重點(diǎn)的第三代半導體材料，提升大尺寸單晶硅拋光片、電子級高純硅材料、區熔硅單晶研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

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[行業(yè)資訊]碳化硅單晶襯底是半導體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上極為關(guān)鍵一環(huán)[ 2022-02-17 10:08 ]

碳化硅器件性能非常突出，但其生產(chǎn)過(guò)程可謂是困難重重。其產(chǎn)業(yè)鏈貫穿了材料、芯片設計、制造工藝等各個(gè)環(huán)節。相對傳統硅基技術(shù)而言，寬禁帶功率器件由于采用了SiC半導體材料，在各關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節也會(huì )遇到新的問(wèn)題與挑戰。 SiC半導體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈從技術(shù)的角度來(lái)說(shuō)，與硅基功率器件制作工藝不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，需要在導通型單晶襯底上額外生長(cháng)高質(zhì)量的外延材料，最后在外延層上制造各類(lèi)器件。傳統的碳化硅外延基于高品質(zhì)碳化硅單晶襯底，以實(shí)現晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位錯、層錯等）。即是說(shuō)

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[行業(yè)資訊]住友礦山將量產(chǎn)碳化硅功率半導體晶圓[ 2022-01-11 14:19 ]

如今，以碳化硅為代表的第三代半導體材料功率器件在各項性能指標上較現有硅基功率器件有飛躍性的提升。當純電動(dòng)汽車(chē)的逆變器采用碳化硅功率半導體時(shí)，可以降低電力損耗，因此耗電量可以比硅功率半導體大幅降低。據外媒消息，住友金屬礦山（簡(jiǎn)稱(chēng)住友礦山）開(kāi)始量產(chǎn)新一代功率半導體使用的晶圓，材料采用的是碳化硅，新一代功率半導體面向純電動(dòng)汽車(chē)（EV）等的需求有望擴大。住友礦山要搶占Wolfspeed等領(lǐng)先企業(yè)的市場(chǎng)，預計2025年實(shí)現月產(chǎn)1萬(wàn)片。為了進(jìn)一步降低碳化硅晶圓的成本，住友礦山開(kāi)發(fā)出了相關(guān)技術(shù)，在因結晶不規則而價(jià)

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