一張圖：碳化硅這樣提純，能行嗎？[ 07-15 15:40 ]

 

碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術(shù)優(yōu)點(diǎn)[ 06-09 16:47 ]

碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)： 1、可現場(chǎng)施工，而且施工方法簡(jiǎn)單，易于造形，厚度可控制，因此適用范圍廣泛。 2、高附著(zhù)力，涂層可靠性高，使用壽命長(cháng)。 3、涂層硬度高，7H左右，致密耐磨，表面光滑，可打磨加工。 4、有多種防護功效，應用范圍相當廣泛。既用于各種裝備構件的防護（密封防滲漏，抗磨，防腐，電絕緣），也可用于各種結構件的修理，達到修舊利廢的目的。 5、涂層有一定的自潤滑功能，摩擦系數相對較低，越磨越光滑，耐磨性能良好。 6、涂層本身不燃，具有良好的阻燃功效。

氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]

氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料是一種特殊的碳化硅制品，20世紀70年代被廣泛應用于磨具磨料以及電陶瓷行業(yè)，上世紀80年代我國將該材料進(jìn)行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近，當柱狀的氮化硅穿插在碳化硅顆粒之間并發(fā)生燒結，產(chǎn)生的增韌和強化作用遠遠優(yōu)于單一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性較大，可以與碳化硅材料復合改善脆性，提升斷裂韌性；而且碳化硅材料的熱穩定性與抗氧化能力在與氮化硅復合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料莫氏硬度為9左右，僅次于金剛石；常溫強度高并且在1200-1400℃時(shí)此材料的強度和硬度可以

碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈[ 05-13 16:42 ]

碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括“碳化硅高純粉料→單晶襯底→外延片→功率器件→模塊封裝→終端應用”等環(huán)節。 1碳化硅高純粉料 碳化硅高純粉料是采用PVT法生長(cháng)碳化硅單晶的原料，其產(chǎn)品純度直接影響碳化硅單晶的生長(cháng)質(zhì)量以及電學(xué)性能。 碳化硅粉料有多種合成方式，主要有固相法、液相法和氣相法3種。其中，固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法；液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法；氣相法包括化學(xué)氣相沉積法、等離子體法和激光誘導

在單晶生長(cháng)方面SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)[ 05-08 08:34 ]

與傳統的單晶硅使用提拉法制備不同，目前規模化生長(cháng)SiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來(lái)了SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)： 1、生長(cháng)條件苛刻，需要在高溫下進(jìn)行。一般而言，SiC氣相生長(cháng)溫度在2300℃以上，壓力350MPa，而硅僅需1600℃左右。高溫對設備和工藝控制帶來(lái)了極高的要求，生產(chǎn)過(guò)程幾乎是黑箱操作難以觀(guān)測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會(huì )導致生長(cháng)數天的產(chǎn)品失敗。 2、生長(cháng)速度慢。PVT法生長(cháng)SiC的速度緩慢，7天才能生長(cháng)2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長(cháng)的8英